RM6601NDQ是一款高性能高可靠性準諧振電流控制型PWM開關控制芯片，全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于75mW，滿足六級能效標準。RM6601NDQ集成多種工作模式，最大支持130Khz工作頻率，在重載情況下，系統(tǒng)工作在QR模式，以降低開關損耗，同時結(jié)合PFM工作模式提高系統(tǒng)效率；RM6601NDQ采用專有驅(qū)動技術(shù)，直驅(qū)E-mode GaN FET；在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6601NDQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。RM6601NDQ同時集成了多種保護模式和補償電路，包括VCCOVP,內(nèi)置OTP，外置OVP,欠壓鎖定(uvlo)，逐周期過流保護0CP，過載保護（OLP)，輸出肖特基短路保護等，并內(nèi)置斜坡補償功能。

RM6602NDQ是一款內(nèi)置650V GaNFET,高性能高可靠性電流控制型PWM開關控制芯片，全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于65mW，滿足六級能效標準，QR工作模式，提高產(chǎn)品效率及功率密度，改善產(chǎn)品EMI。RM6602NDQ集成多種工作模式，在重載情況下，系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的固頻130Khz的PWM模式下；在重載情況下，系統(tǒng)工作在QR模式，以降低開關損耗，同時結(jié)合PFM工作模式提高系統(tǒng)效率；RM6602NDQ采用專有的驅(qū)動技術(shù)，搭配高壓GaNFET功率器件改善EMI設計；在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6602NDQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。RM6602NDQ同時集成了多種保護模式和補償電路，包括VCCOVP，內(nèi)置OTP，外置OVP，欠壓鎖定（uvlo），逐周期過流保護OCP，過載保護（OLP），輸出肖特基短路保護等，并內(nèi)置斜坡補償。

RM6604NDQ是一款內(nèi)置650V GaNFET,高性能高可靠性電流控制型PWM開關控制芯片，全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于65mW，滿足六級能效標準，QR工作模式，提高產(chǎn)品效率及功率密度，改善產(chǎn)品EMI。RM6604NDQ集成多種工作模式，最大支持130Khz工作頻率，在重載情況下，系統(tǒng)工作在QR模式，以降低開關損耗，同時結(jié)合PFM工作模式提高系統(tǒng)效率；RM6604NDQ采用專有驅(qū)動技術(shù)，直驅(qū)E-mode GaN FET；在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6604NDQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。RM6604NDQ同時集成了多種保護模式和補償電路，包括VCCOVP，內(nèi)置OTP,外置OVP，欠壓鎖定（uvlo），逐周期過流保護OCP,過載保護（OLP），輸出肖特基短路保護等，并內(nèi)置斜坡補償。

準諧振工作模式;

內(nèi)置700V高壓啟動； 內(nèi)置650V GaNFET;

支持最大130KHz工作頻率； 內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善EMI；

Burst Mode去噪音；

低啟動電流（2uA)，低工作電流； 集成斜坡補償；

集成輸入Brown out/in 功能； 外置OVP保護；

具有輸出肖特基短路保護；

內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLPUVLO等多種保護。

應用領域   電源適配器 開放式電源 TV/機頂盒電源 PD快充電器

原理圖僅供參考 以規(guī)格書為準

副邊反饋（SSR）+QR